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A2GESR-B

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制造商
Midlite Products
功能描述
Black Power+Port® Kit

A2GESR-B 技術參數

A2G35S200-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:16.1dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:291mA 功率 - 輸出:180W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G35S160-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:15.7dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:190mA 功率 - 輸出:51dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2G26H281-04SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:2.496GHz ~ 2.69GHz 增益:14.2dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:50W 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-780S-4L 供應商器件封裝:NI-780S-4L 標準包裝:250 A2G26H280-04SR3 A2G22S251-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 2.2GHz 增益:17.7dB 電壓 - 測試:48V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:52dBm 電壓 - 額定:125V 封裝/外殼:NI-400S-2S 供應商器件封裝:NI-400S-2S 標準包裝:250 A2I20H060NR1 A2I20H080GNR1 A2I20H080NR1 A2I22D050GNR1 A2I22D050NR1 A2I25D012GNR1 A2I25D012NR1 A2I25D025GNR1 A2I25D025NR1 A2I25H060GNR1 A2I25H060NR1 A2I35H060GNR1 A2I35H060NR1 A-2JA A2MXS-1006G A2MXS-1006M A2MXS-1018G A2MXS-1018M