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AON7702AL

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AON7702AL 技術(shù)參數(shù)
  • AON7702A_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13.5A(Ta),36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7702 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13.5A(Ta),36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 13.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4250pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7700 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4250pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7611 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道,共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A,18.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):170pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7568 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):25A(Ta),32A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2270pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):5W(Ta),28W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7804 AON7804_102 AON7810 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900 AON7902 AON7932 AON7932_101 AON7934 AONR32314 AOP605 AOP607 AOP609 AOP610 AORN1001AT5 AORN100-1AT5
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