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AOP610

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說明
操作

AOP610
優勢
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
6810
AOS
DIP-8
2223+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

AOP610
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
AOS
8-PDIP
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

AOP610
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
AOS
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AOP610
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
PDIP-8
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

AOP610
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
AOS
PDIP-8
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

AOP610
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9800
AOS
DIP8
18+
-
優勢庫存，原裝現貨

AOP610
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4518
AOS
DIP-8
2227+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

AOP610
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯
電話：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大廈B座907
50
AOSMD
DIP-8
00+
-
█100%現貨█可開17%增票█可申請免...

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功能描述
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 陣列
系列
-
產品目錄繪圖
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝
1
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
3A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 4.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
Digi-Reel®
產品目錄頁面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
SI7948DP-T1-GE3DKR

AOP610 技術參數

AOP609 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:570pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:5,000 AOP607 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:5,000 AOP605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:5,000 AONX36372 AONR32314 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:初步 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1420pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 17A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（3x3）封裝/外殼:8-SMD，扁平引線標準包裝:5,000 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L AOT10N65 AOT10T60L AOT10T60P AOT10T60PL AOT1100L