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APT100GF60JU3微波功率雙極晶體管

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APT100GF60JU3微波功率雙極晶體管技術(shù)參數(shù)

APT100GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:103A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:620nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:100A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT100DL60BG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:100A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.6V @ 100A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2