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APT100GT120JRDL

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT100GT120JRDLMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT100GT120JRDL
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

APT100GT120JRDL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
1665
MICROSE
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG

APT100GT120JRDL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT100GT120JRDL PDF下載

功能描述
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APT100GT120JRDL 技術參數

APT100GT120JR 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100GN60LDQ4G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:229A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，100A 功率 - 最大值:625W 開關能量:4.75mJ（開）， 2.675mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:600nC 25°C 時 Td（開/關）值:31ns/310ns 測試條件:400V，100A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT100GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:229A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，100A 功率 - 最大值:625W 開關能量:4.7mJ（開）， 2.675mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:600nC 25°C 時 Td（開/關）值:31ns/310ns 測試條件:400V，100A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT100GN120JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:153A 功率 - 最大值:446W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:153A 功率 - 最大值:446W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B