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APT102GA60LMI

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  • APT102GA60LMI
    APT102GA60LMI

    APT102GA60LMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-264

  • 11+

  • -
  • 100%進口原裝正品,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
APT102GA60LMI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT102GA60LMI 技術參數
  • APT102GA60L 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,62A 功率 - 最大值:780W 開關能量:1.354mJ(開), 1.614mJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:294nC 25°C 時 Td(開/關)值:28ns/212ns 測試條件:400V,62A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,62A 功率 - 最大值:780W 開關能量:1.354mJ(開), 1.614mJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:294nC 25°C 時 Td(開/關)值:28ns/212ns 測試條件:400V,62A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:* 標準包裝:30 APT100S20LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):70ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 200V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT100S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):70ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT100MC120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):143A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 100A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):360nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG
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