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APT106N60B2C6

配單專家企業名單

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封裝
批號
價格
說明
操作

APT106N60B2C6
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-247
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

APT106N60B2C6
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
APT
TO247
22+
-
全新原裝現貨供應

APT106N60B2C6
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
PLUS247
25+
-
國產品牌，替代進口

APT106N60B2C6
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3 Variant
23+
-
微芯專營優勢產品

APT106N60B2C6
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
426
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT106N60B2C6
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APT106N60B2C6
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
39800
Microsemi
TO-247
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

APT106N60B2C6
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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APT106N60B2C6 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
CoolMOS™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT106N60B2C6 技術參數

APT-106 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:36 APT102GA60L 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 開關能量:1.354mJ（開）， 1.614mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:294nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/212ns 測試條件:400V，62A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 開關能量:1.354mJ（開）， 1.614mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:294nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/212ns 測試條件:400V，62A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:30 APT100S20LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:70ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 200V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT100S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:70ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG