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APT10SCD120B

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT10SCD120B
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
581
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT10SCD120BCT
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-247-3
25+
-
國產品牌，替代進口

APT10SCD120B
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
APEC
TO-247
22+
-
十年配單，只做原裝

APT10SCD120B
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現貨電話010-6210493...

APT10SCD120B
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2490
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共18條
1

您是不是要找： APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G

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APT10SCD120B PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 1.2KV 37A

APT10SCD120B 技術參數

APT10M11JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:142A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 71A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT10M11JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:142A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 71A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT10M11B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:450nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? 標準包裝:30 APT10M09B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT10DC120HJ 功能描述:DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:單相技術:碳化硅肖特基電壓 - 峰值反向（最大值）:1.2kV 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX