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APT11F80S

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT11F80S
    APT11F80S

    APT11F80S

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-268

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • APT11F80S
    APT11F80S

    APT11F80S

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT11F80S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT11F80S 技術參數
  • APT11F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2471pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT10SCE170B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1700V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1700V 電流 - 平均整流(Io):23A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1700V 不同?Vr,F 時的電容:1120pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:30 APT10SCE120B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V 電流 - 平均整流(Io):43A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:630pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:30 APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr,F 時的電容:300pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT10SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr,F 時的電容:300pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY
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