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APT13GP120SG

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操作

APT13GP120SG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
D3S
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT13GP120SG
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： APT14050JVFR APT14F100B APT14F100S APT14M100B APT14M100S APT14M120B APT150GN120J APT150GN120JDQ4 APT150GN60B2G

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT13GP120SG 技術參數

APT13GP120KG 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關能量:114μJ（開），165μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT13GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關能量:115μJ（開），165μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT13GP120BDQ1G 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關能量:115μJ（開），165μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT13F120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:145nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4765pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:1 APT13F120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG