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APT30GS60BRDL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APT30GS60BRDLG
    APT30GS60BRDLG

    APT30GS60BRDLG

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A

  • 38714

  • Microsemi Corporation

  • TO-247-3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • APT30GS60BRDLG
    APT30GS60BRDLG

    APT30GS60BRDLG

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 16678

  • Microchip / Microsemi

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • APT30GS60BRDLG
    APT30GS60BRDLG

    APT30GS60BRDLG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Resonant Mode Combi IGBT
APT30GS60BRDL 技術(shù)參數(shù)
  • APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60B2DLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3
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