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APT40GP90BG.

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APT40GP90BG. 技術(shù)參數(shù)
  • APT40GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,40A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:825μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:16ns/75ns 測(cè)試條件:600V,40A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP90B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):101A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,40A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:795μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:14ns/90ns 測(cè)試條件:600V,40A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP60SG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:385μJ(開(kāi)),352μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:135nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:20ns/64ns 測(cè)試條件:400V,40A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):86A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):4.61nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:385μJ(開(kāi)),352μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:135nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:20ns/64ns 測(cè)試條件:400V,40A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M70JVFR APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2
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