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APT40M70LVRG

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  • APT40M70LVRG
    APT40M70LVRG

    APT40M70LVRG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-264-3

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT40M70LVRG
    APT40M70LVRG

    APT40M70LVRG

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門(mén)外大街9號(hào)樓603室

  • 25

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
APT40M70LVRG 技術(shù)參數(shù)
  • APT40M70LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:57A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M70JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M42JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:86A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:760nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 43A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M35JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:93A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 46.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1065nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20160pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:345W 開(kāi)關(guān)能量:828μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/124ns 測(cè)試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B
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