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APT41M80B2

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說明
操作

APT41M80B2
現貨
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
600
2015+
-
公司現貨庫存,絕對原裝正品!

APT41M80B2
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3 Variant
23+
-
微芯專營優勢產品

APT41M80B2
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
600
2015+
-
公司現貨庫存,絕對原裝正品!

APT41M80B2
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
15862
APTMICROSEMI
TO-247..
23+
-
全新原裝正品現貨熱賣

APT41M80B2
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-247
25+
-
國產品牌，替代進口

APT41M80B2
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

APT41M80B2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APT41M80B2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
150
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
POWER MOS 8™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT41M80B2 技術參數

APT41F100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT40SM120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT40SM120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT40SM120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT40N60JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J