欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 >

APT45GP120J-ND

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " APT45GP120J-ND " 相關(guān)的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J

APT45GP120J-ND PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT45GP120J-ND 技術(shù)參數(shù)

APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.94nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ（開），904μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:185nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/102ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:900μJ（開），905μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:185nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/100ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:30 APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ（開），450μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/102ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG