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APT47GA90JD40

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價格
說明
操作

APT47GA90JD40
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
MICROSEMI
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT47GA90JD40
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
MICROSEMI
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

APT47GA90JD40
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
MICROSEMI
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

APT47GA90JD40
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M
資質：營業執照
26550
MICROSEMI
正品封裝
23+
-
正規商現貨供應

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG

APT47GA90JD40 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT47GA90JD40 技術參數

APT47GA60JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:283W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 電流 - 集電極截止（最大值）:275μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.32nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT47F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT46GA90JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.17nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT45M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:45A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG