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APT50GS60BRDLG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

APT50GS60BRDLG
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
16713
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原廠原裝現貨

APT50GS60BRDLG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A
35507
Microsemi Corporation
TO-247-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT50GS60BRDLG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
44896
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT50GS60BRDLG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT50GS60BRDLG 技術參數

APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:445nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/237ns 測試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.55nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:445nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/237ns 測試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:525μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J