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APT50GS60BRG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT50GS60BRGMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT50GS60BRG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT50GS60BRG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66718
Microchip / Microsemi
TO-247-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT50GS60BRG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共16條
1

您是不是要找： APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG

APT50GS60BRG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT50GS60BRG PDF下載

功能描述
IGBT 600V 93A 415W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
Thunderbolt IGBT®
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT50GS60BRG 技術參數

APT50GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關能量:755μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:235nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/225ns 測試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關能量:755μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:235nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/225ns 測試條件:400V，50A，4.7 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:445nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/237ns 測試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.55nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:445nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/237ns 測試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6