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APT50GT120B2RDLG

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APT50GT120B2RDLG
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT50GT120B2RDLG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Microsemi
TO-247
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

APT50GT120B2RDLG
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
97495
Microsemi Corporation
TO-247-3 Variant
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

APT50GT120B2RDLG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

APT50GT120B2RDLG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
50
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
IGBT 1200V 106A 694W TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列
Thunderbolt IGBT®
標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT50GT120B2RDLG 技術(shù)參數(shù)

APT50GS60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關(guān)能量:755μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:235nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/225ns 測(cè)試條件:400V，50A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關(guān)能量:755μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:235nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/225ns 測(cè)試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關(guān)能量:755μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:235nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/225ns 測(cè)試條件:400V，50A，4.7 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關(guān)能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:445nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:28ns/237ns 測(cè)試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:5.55nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B

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