欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 >

APT6040BN/BNR

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
APT6040BN/BNR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT6040BN/BNR 技術參數
  • APT6040BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT6030BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):210nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 11.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT6017LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4500pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT6017LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4500pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT6013LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):43A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 21.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5630pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG APT60DQ120LCTG APT60DQ60BCTG APT60DQ60BG APT60DS04HJ APT60DS10HJ APT60DS20HJ
配單專家

在采購APT6040BN/BNR進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買APT6040BN/BNR產品風險,建議您在購買APT6040BN/BNR相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APT6040BN/BNR信息由會員自行提供,APT6040BN/BNR內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 阿拉善右旗| 思南县| 永善县| 青铜峡市| 姜堰市| 中卫市| 常熟市| 漳平市| 龙州县| 综艺| 安乡县| 平潭县| 满洲里市| 突泉县| 苍梧县| 乐陵市| 望都县| 延吉市| 绥化市| 灵川县| 土默特右旗| 西乡县| 亚东县| 寿光市| 玛多县| 宝应县| 星子县| 瓦房店市| 尚志市| 靖宇县| 白沙| 西藏| 新绛县| 盖州市| 黎城县| 喀喇沁旗| 扶风县| 岳池县| 宁夏| 上犹县| 河北省|