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APTC60HM83FT2G

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    APTC60HM83FT2G

    APTC60HM83FT2G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 15

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N CH 600V 36A
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • CoolMOS™
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60HM83FT2G 技術參數
  • APTC60HM70T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60HM70T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60HM70SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTC60HM70RT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋)+ 橋式整流器 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60HM70BT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:在售 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC80A10SCTG APTC80A15SCTG APTC80A15T1G APTC80AM75SCG APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G
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