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APTCFGP1V

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  • APTCFGP1VTR
    APTCFGP1VTR

    APTCFGP1VTR

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Apem Inc.

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
APTCFGP1V PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APTCFGP1V 技術參數
  • APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):59A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):59A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):59A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V FET 功能:超級結 功率耗散(最大值):462W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):59A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK
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