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APTGT100DA170TG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT100DA170TG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTGT100DA170TG
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

1/1頁 40條/頁共11條
1

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APTGT100DA170TG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGT100DA170TG PDF下載

功能描述
IGBT 1700V 150A 560W SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT100DA170TG 技術參數

APTGT100DA170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 200A 695W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:695W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT100DA120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT100DA120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT100DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 150A 520W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:3mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT100BB60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:通孔封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G APTGT100H170G APTGT100H60T3G APTGT100H60TG APTGT100SK120D1G APTGT100SK120TG APTGT100SK170D1G APTGT100SK170TG APTGT100SK60T1G APTGT100SK60TG APTGT100TA120TPG APTGT100TA60PG APTGT100TDU60PG APTGT100TL170G APTGT100TL60T3G APTGT150A1202G