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APTM100SK18TG

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說明
操作

APTM100SK18TG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
85187
Microsemi Corporation
SP4
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG APTM100TA35SCTPG APTM100TDU35PG APTM100U13SG APTM100UM45DAG APTM100UM45FAG

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功能描述
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM100SK18TG 技術參數

APTM100H80FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:960 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3876pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM100H46FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:552 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM100H45STG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100H45SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100H45FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM100UM60FAG APTM100UM65DAG APTM100UM65SAG APTM100UM65SCAVG APTM10AM02FG APTM10AM05FTG APTM10DAM02G APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G