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APTM120U10SCAVG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM120U10SCAVG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

APTM120U10SCAVG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APTM120U10SCAVG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： APTM120UM70DAG APTM120UM70FAG APTM120UM95FAG APTM20AM04FG APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG

APTM120U10SCAVG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET PWR MOD 1200V 116A SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
10
系列
*

APTM120U10SCAVG 技術參數

APTM120U10SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 58A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120U10DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 58A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120TDU57PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM120TA57FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM120SK68T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:816 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6696pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM20AM10STG APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG