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參數資料
| 型號： | BUV47B |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(9A,400V,90W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（9A條，為400V，90瓦） |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | BUV47B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUV47 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| BUV47A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| BUV48B | Automotive 8-bit MCU, with up to 128 Kbytes Flash, EEPROM, 10-bit ADC, timers, LIN, CAN, USART, SPI, I2C, 3 V to 5.5 V |
| BUV48BFI | Automotive 8-bit MCU, with up to 128 Kbytes Flash, EEPROM, 10-bit ADC, timers, LIN, CAN, USART, SPI, I2C, 3 V to 5.5 V |
| BUV48FI | Automotive 8-bit MCU, with up to 32 Kbytes Flash, EEPROM, 10-bit ADC, timers, LIN, SPI, I2C, 3 V to 5.5 V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUV47FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-218AA |
| BUV47-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 850V 9A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUV48 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| BUV48/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SWITCHMODE II Series NPN Silicon Power Transistors |
| BUV48A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Volt Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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