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AUIRFS8405TRL

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AUIRFS8405TRL
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
晶體管

AUIRFS8405TRL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
IR
TO-263
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

AUIRFS8405TRL
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
晶體管

AUIRFS8405TRL
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
D2PAK
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

AUIRFS8405TRL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
INTERNATI
REEL
1521+
-
全新原裝現貨

AUIRFS8405TRL
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
800
INFINEON APAC (CHINA)
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

AUIRFS8405TRL
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4721
IR
TO-263
2232+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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制造商
International Rectifier
功能描述
制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN
制造商
International Rectifier
功能描述
40V, 120A, 2.3MOHM, N-CH, SINGLE, D2PAK - AUTOMOTIVE QUAL'D
制造商
International Rectifier
功能描述
T&R / Automotive G12.7 MOSFET 40VN

AUIRFS8405TRL 技術參數

AUIRFS8405 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:161nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5193pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:163W (Tc) 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS6535TRL 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:185 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRFS6535 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:185 毫歐 @ 11A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1,000 AUIRFS4610 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3550pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS4410Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:97A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 58A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4820pF @ 50V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSA8409-7P AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405 AUIRFSL8407 AUIRFSL8409 AUIRFU1010Z AUIRFU3607 AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403