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AUIRL7766M2

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  • AUIRL7766M2TR
    AUIRL7766M2TR

    AUIRL7766M2TR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • AUIRL7766M2TR
    AUIRL7766M2TR

    AUIRL7766M2TR

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • DIRECTFET? M4

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • AUIRL7766M2TR
    AUIRL7766M2TR

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • AUIRL7766M2TR
    AUIRL7766M2TR

    AUIRL7766M2TR

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:雷精云

    電話:18988598856

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 3916

  • IR

  • DIRECTFET

  • 2227+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • AUIRL7766M2TR
    AUIRL7766M2TR

    AUIRL7766M2TR

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:苗鳳軍

    電話:17623594308

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 5592

  • IR

  • DIRECTFET

  • 2224+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
AUIRL7766M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AUIRL7766M2 技術參數
  • AUIRL7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):179A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 67A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):78nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5055pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應商器件封裝:DIRECTFET? M4 標準包裝:4,800 AUIRL7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.6 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2020pF @ 25V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應商器件封裝:DIRECTFET? SC 標準包裝:4,800 AUIRL3705ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 AUIRL3705ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRL3705Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRLR014N AUIRLR014NTRL AUIRLR024N AUIRLR024NTRL AUIRLR024Z AUIRLR024ZTRL AUIRLR120N AUIRLR120NTRL AUIRLR2703 AUIRLR2905 AUIRLR2905TRL AUIRLR2905Z AUIRLR2908 AUIRLR3105 AUIRLR3110Z AUIRLR3114Z AUIRLR3410 AUIRLR3410TR
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