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BC848CDWT1G

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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • ON

  • SOT-363

  • 18+

  • -
  • 低價(jià)大批量供應(yīng)

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BC848CDWT1G 技術(shù)參數(shù)
  • BC848CDW1T1G 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:380mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC848C-7-F 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC848C RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC848BWT1G 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-3(SOT323) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC848BWT106 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:UMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC848CPDW1T1G BC848CT116 BC848C-TP BC848CW RFG BC848CW-7-F BC848CWE6327BTSA1 BC848CWH6327XTSA1 BC848CWT1G BC848W,115 BC848W,135 BC849AMTF BC849AW RFG BC849B,215 BC849B,235 BC849BE6327HTSA1 BC849BLT1 BC849BLT1G BC849BLT3
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