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BC848CE-6327

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BC848CE-6327 技術參數

BC848CDXV6T5G 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:8,000 BC848CDXV6T5 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:8,000 BC848CDXV6T1G 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:4,000 BC848CDW1T1G 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363 標準包裝:1 BC848C-7-F 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BC848CW RFG BC848CW-7-F BC848CWE6327BTSA1 BC848CWH6327XTSA1 BC848CWT1G BC848W,115 BC848W,135 BC849AMTF BC849AW RFG BC849B,215 BC849B,235 BC849BE6327HTSA1 BC849BLT1 BC849BLT1G BC849BLT3 BC849BLT3G BC849BMTF BC849B-TP