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BMS400S

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  • BMS400S
    BMS400S

    BMS400S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • BMS400S
    BMS400S

    BMS400S

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 6000

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  • 15+

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  • 原裝正品,假一罰十

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BMS400S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BMS400S 技術參數
  • BMS4007-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:50 BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 BMS3004-1E 功能描述:MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):68A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13400pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 BMS3003-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):78A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):285nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 BMVK160ADA4R7MD60G BMVK250ADA150MF60G BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G
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