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BMSP20A4

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BMSP20A4
    BMSP20A4

    BMSP20A4

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • SOT-23

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!!!

  • BMSP20A4
    BMSP20A4

    BMSP20A4

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SOT-23

  • 2011

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共15條 
  • 1
BMSP20A4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
BMSP20A4 技術(shù)參數(shù)
  • BMS-DA-48 功能描述:CARD GUIDE,DBL,ADH MNT,BLACK,4FT 制造商:essentra components 系列:BMS 零件狀態(tài):有效 配件類型:塑料,膠合劑,48.000"(1219.20mm) 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMS-D-48 功能描述:BOARD MNT STRIP DBL BLK 4' 制造商:essentra components 系列:BMS 零件狀態(tài):有效 配件類型:塑料,48.000"(1219.20mm) 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMS4007-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G BMVK500ADAR68MD60G BMVK6R3ADA100MD60G
配單專家

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