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BS10-D

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BS10-D
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
856420
PANDUIT
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

BS10-D
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
標準封裝
09/10+
-

BS10-D
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

BS10-D
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Panduit Corp
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品，

BS10-D
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：劉春蘭
電話：19129491434(微信同號)
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
10000
Panduit Corp
原裝
2013+
-
授權分銷現貨熱賣

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1

您是不是要找： BS10-E BS10-L BS10-Q BS120 BS120E0F BS-1225-PC BS-125.000MBC-T BS-125.000MCC-T BS12I

BS10-D PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BS10-D PDF下載

功能描述
端子 Butt Splice non-ins 12 - 10 AWG
RoHS
否
制造商
AVX
產品
Junction Box - Wire to Wire
系列
9826
線規
26-18
接線柱/接頭大小
絕緣
顏色
Red
型式
Female
觸點電鍍
Tin over Nickel
觸點材料
Beryllium Copper, Phosphor Bronze
端接類型
Crimp

BS10-D 技術參數

BS108ZL1G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BS108G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BS108/01,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS108,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標準包裝:2,000 BS12I-22 BS12I-HD-24AWG BS12I-MC BS12I-NICAD BS12T BS12T-HD BS12T-MC BS1301-7R BS14-C BS14-E BS14-L BS14-M BS14P-SHF-1AA(LF)(SN) BS-150.000MBC-T BS-150.000MCC-T BS1501-7R BS1501-7RB1 BS-156.250MBC-T