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BS108ZL1G

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價格
說明
操作

BS108ZL1G
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
ON/安森美
TO-92
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BS108ZL1G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865300
ON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

BS108ZL1G
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
7500
ON
原廠原裝
1725+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

BS108ZL1G
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
8865
ON
TO-92
15+
-
絕對公司原裝現貨

BS108ZL1G
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1000
ON
0511+
-
現貨庫存Q

BS108ZL1G
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ON
04+/05+/06
-
假一罰十，百分百原裝正品

BS108ZL1G
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
69200
ON
TO-92
18+
-
全新原裝，優勢庫存

BS108ZL1G
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
39800
ON
TO-92
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

BS108ZL1G
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4212
ON
TO-92
2228+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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BS108ZL1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET 200V 250mA Logic Level N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BS108ZL1G 技術參數

BS108G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BS108/01,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS108,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標準包裝:2,000 BS107PSTOB 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標準包裝:2,000 BS12I BS12I-22 BS12I-HD-24AWG BS12I-MC BS12I-NICAD BS12T BS12T-HD BS12T-MC BS1301-7R BS14-C BS14-E BS14-L BS14-M BS14P-SHF-1AA(LF)(SN) BS-150.000MBC-T BS-150.000MCC-T BS1501-7R BS1501-7RB1