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BS170F-7

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型號
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價格
說明
操作

BS170F-7
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
72540
DIODES
SOT23
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BS170F-7
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
DIODES
SOT23
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

BS170F-7
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

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BS170F-7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BS170F-7 技術參數

BS170-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:BS170 標準包裝:1 BS170-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:BS170 標準包裝:1 BS170-D27Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:BS170 標準包裝:1 BS170-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:BS170 標準包裝:1 BS170_L34Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS170RLRMG BS170RLRP BS170RLRPG BS170ZL1G BS-175.000MBB-T BS-175.000MBC-T BS-175.000MCB-T BS-175.000MCC-T BS-187.500MBB-T BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T BS18-C BS18-L BS18-M BS1-IC BS-1S-1 BS1SSL16999XW