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BSB053N03LP

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BSB053N03LP G
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
20000
INFINEON/英飛凌
MG-WDSON-
22+
-
原廠原裝現貨

BSB053N03LPG
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
25000
INFINEON
MG-WDSON-
假一賠十??！
-
絕對原裝現貨！

BSB053N03LP G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSB053N03LPG
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
INFINEO
MG-WDSO
22+
-
全新原裝現貨供應

BSB053N03LPG
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
10000
INFINEON
MG-WDSON-
23+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

BSB053N03LPG
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
MG-WDSON-2
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSB053N03LPG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
INFINEON
MG-WDSON-2
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSB053N03LP G
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
MG-WDSON-2，CanPAK M?
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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BSB053N03LP 技術參數

BSB044N08NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），90A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:73nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5700pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB044N08NN3 G 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5700pF @ 40V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB028N06NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），90A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 102μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:143nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB028N06NN3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 102μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 30V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB024N03LX G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），145A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4900pF @ 15V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G