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BSB104N08NP3G

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  • BSB104N08NP3G
    BSB104N08NP3G

    BSB104N08NP3G

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • INFINOEN

  • WDSON

  • 22+

  • -

  • 終端免費(fèi)提供樣品 可開13%增值稅發(fā)票

  • BSB104N08NP3G
    BSB104N08NP3G

    BSB104N08NP3G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Infineontechnologies

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BSB104N08NP3GXUMA3
    BSB104N08NP3GXUMA3

    BSB104N08NP3GXUMA3

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 328994

  • INFINEON

  • con

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • BSB104N08NP3GXUMA3
    BSB104N08NP3GXUMA3

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國(guó)上海

  • 328994

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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BSB104N08NP3G 技術(shù)參數(shù)
  • BSB056N10NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），83A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB053N03LP G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），71A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSB044N08NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta），90A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:73nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5700pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB044N08NN3 G 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta），90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5700pF @ 40V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB028N06NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），90A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 102μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:143nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS
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