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BSC009NE2LSATMA1

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  • BSC009NE2LSATMA1
    BSC009NE2LSATMA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • INFINEON

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  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSC009NE2LSATMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • BSC009NE2LSATMA1
    BSC009NE2LSATMA1

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 328701

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • BSC009NE2LSATMA1
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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 場效應管

  • BSC009NE2LSATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 328701

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • BSC009NE2LSATMA1
    BSC009NE2LSATMA1

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSC009NE2LSATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • 24+

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  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSC009NE2LSATMA1
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  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

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    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

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  • INFINEON

  • TDFN-8

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  • BSC009NE2LSATMA1
    BSC009NE2LSATMA1

    BSC009NE2LSATMA1

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主營優勢

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  • BSC009NE2LSATMA1
    BSC009NE2LSATMA1

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  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
BSC009NE2LSATMA1 技術參數
  • BSC009NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.95 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC009NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):41A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3900pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC009NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):41A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5800pF @ 12V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSB280N15NZ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 60μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSB165N15NZ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),45A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2800pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),78W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC016N03LSGATMA1
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