欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BSH105215

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSH105215
    BSH105215

    BSH105215

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Philips

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSH105215 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 20V 1.05A SOT23
BSH105215 技術參數
  • BSH105,235 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.05A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):152pF @ 16V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:10,000 BSH105,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.05A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):152pF @ 16V FET 功能:- 功率耗散(最大值):417mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 600mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH103,235 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):850mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):400mV @ 1mA(最小) 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH103,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):850mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):400mV @ 1mA(最小) 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH-100-01-L-D-DP-EM2 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包裝:管件 零件狀態:在售 連接器類型:差分對陣列,母 針腳數:200 間距:0.020"(0.50mm) 排數:2 安裝類型:板邊緣,跨騎式安裝 特性:- 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:10μin(0.25μm) 接合堆疊高度:- 板上高度:- 標準包裝:500 BSH-120-01-C-D-LC-TR BSH-120-01-F-D BSH-120-01-F-D-A BSH-120-01-F-D-A-TR BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR
配單專家

在采購BSH105215進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買BSH105215產品風險,建議您在購買BSH105215相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的BSH105215信息由會員自行提供,BSH105215內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 温泉县| 墨脱县| 神农架林区| 敖汉旗| 西青区| 图木舒克市| 福贡县| 西吉县| 抚顺县| 西林县| 民县| 江门市| 太仆寺旗| 克拉玛依市| 邵阳县| 丹东市| 仲巴县| 揭西县| 河南省| 夏河县| 五莲县| 秦皇岛市| 德化县| 石屏县| 隆尧县| 高陵县| 达拉特旗| 韶山市| 门源| 南溪县| 防城港市| 旬邑县| 宾川县| 龙门县| 宁阳县| 桦甸市| 遂平县| 平遥县| 阿合奇县| 新绛县| 崇明县|