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BSH108.215

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批號
價格
說明
操作

BSH108.215
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
NXP
SOT-23
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSH108.215
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
60000
NXP
SOT-23
13+
-
全新原裝現貨

BSH108.215
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
15000
nxp
sot-23
2015
-
進口原裝現貨，一定自己庫存

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BSH108.215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSH108.215 技術參數

BSH108,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:190pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH105,235 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.05A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:152pF @ 16V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BSH105,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.05A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:152pF @ 16V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 600mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH103,235 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:850mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:400mV @ 1mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH103,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:850mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:400mV @ 1mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH-120-01-F-D BSH-120-01-F-D-A BSH-120-01-F-D-A-TR BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2