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BSH111.

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSH111.215
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
NXP
SOT-23
22+
-
全新原裝現貨供應

BSH111.215
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
SOT-23
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

BSH111.215
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
NXP
SOT23
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSH111.215
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
PHA
原廠原裝
18+
-
原裝現貨，優勢供應

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您是不是要找： BSH111BKR BSH112,235 BSH114,215 BSH-120-01-C-D-A BSH-120-01-C-D-A-TR BSH-120-01-C-D-LC-TR BSH-120-01-F-D BSH-120-01-F-D-A BSH-120-01-F-D-A-TR

BSH111. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSH111. 技術參數

BSH111,235 功能描述:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:335mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BSH111,215 功能描述:MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:335mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BSH10-E 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 10-12 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝零件狀態:有效端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數:2 端接:壓接線規:10-12 AWG 絕緣:完全絕緣熱縮件特性:銅焊縫顏色:黃標準包裝:20 BSH108,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:190pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH105,235 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.05A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:152pF @ 16V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR BSH-120-01-L-D-TR