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BSP316PL6327XT

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    BSP316PL6327XT

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 36200

  • Infineon Technologies

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝現貨,優勢供應

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  • 1
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BSP316PL6327XT 技術參數
  • BSP316PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):680mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 680mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP316PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):680mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 680mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP316PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):680mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 680mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP316PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):680mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 680mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.17A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 1.17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 160μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP3-208/240-LC BSP320S E6327 BSP320S E6433 BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6433XTMA1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1 BSP322PL6327HTSA1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC
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