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BSP452-

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSP452-T1
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業執照
15000
SIEMENS
SOT-223
18+
-
原裝,優勢庫存

BSP452-T1
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
SIEMENS
SOT-223
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSP452-E6327/PB
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
infineon
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： BSP452 E6327 BSP452HUMA1 BSP50 BSP50,115 BSP50E6327HTSA1 BSP50H6327XTSA1 BSP51 BSP51,115 BSP51H6327XTSA1

BSP452- PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSP452- 技術參數

BSP43,115 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP43 標準包裝:1 BSP41,115 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SC73 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP41 標準包裝:1 BSP373NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP373L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP373 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP52 BSP52,115 BSP52H6327XTSA1 BSP52T1 BSP52T1G BSP52T3 BSP52T3G BSP60,115 BSP603S2LHUMA1 BSP60E6327HTSA1 BSP60H6327XTSA1 BSP61,115 BSP612PH6327XTSA1 BSP613P BSP613PH6327XTSA1 BSP613PL6327HUSA1 BSP615S2L BSP615S2LHUMA1