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BSS126L6327XT

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  • BSS126L6327XT
    BSS126L6327XT

    BSS126L6327XT

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 7866

  • INFINEON

  • SOT23-3

  • 10+

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BSS126L6327XT 技術(shù)參數(shù)
  • BSS126L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS126H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS126H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS126H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS126 H6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS131E6327 BSS131H6327XTSA1 BSS131L6327HTSA1 BSS138 BSS138_D87Z BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7
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