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BSS138DW-FDICT

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BSS138DW-FDICT 技術(shù)參數(shù)

BSS138DW-7-F 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138DW-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號:BSS138 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138BKW-BX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 320MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:320mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 320mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS138BKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:320mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta），830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 320mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327 BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6433XTMA1 BSS138NL6327HTSA1 BSS138NL6433HTMA1 BSS138P,215 BSS138PS,115 BSS138PW,115 BSS138Q-7-F BSS138TA BSS138TC BSS138W BSS138W E6327 BSS138W E6433