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BUK968R3-40E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
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批號
價格
說明
操作

BUK968R3-40E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
SOT-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BUK968R3-40E
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
22924
NXP/恩智浦
D2PAK
22+
-

BUK968R3-40E,118
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
7491
NXP USA Inc.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BUK968R3-40E,118
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 40V 75A ...

BUK968R3-40E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
N
D2PAK
15+
-
全新原裝現貨

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1

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BUK968R3-40E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK968R3-40E PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

BUK968R3-40E 技術參數

BUK9675-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:643pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK9675-100A/C1J 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件狀態:停產標準包裝:1,500 BUK9675-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1704pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:99W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK966R5-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:182W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK9660-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1924pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK9832-55A,115 BUK9832-55A/CUX BUK9840-55,115 BUK9840-55/CUX BUK9875-100A,115 BUK9875-100A/CUX BUK9880-55,135 BUK9880-55/CUF BUK9880-55A,115 BUK9880-55A/CUX BUK9907-40ATC,127 BUK9907-55ATE,127 BUK9C07-65BIT,118 BUK9C1R3-40EJ BUK9C2R2-60EJ BUK9C3R8-80EJ BUK9C5R3-100EJ BUK9D23-40EX