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BUK9840-55T/R

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 10.7A I(D) | SOT-223
BUK9840-55T/R 技術參數
  • BUK9840-55/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta),10.7A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 5A,5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BUK9840-55,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 5A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BUK9832-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1594pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):29 毫歐 @ 8A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BUK9832-55A,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):29 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1594pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BUK98180-100A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.6A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):619pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):173 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BUK9C1R3-40EJ BUK9C2R2-60EJ BUK9C3R8-80EJ BUK9C5R3-100EJ BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127 BUK9E15-60E,127 BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 BUK9E2R3-40E,127 BUK9E2R8-60E,127 BUK9E3R2-40B,127 BUK9E3R2-40E,127
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