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BUK9C07-55BIT/A

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BUK9C07-55BIT/A
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
NXP
TO-263-7
17+
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BUK9C07-55BIT/A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK9C07-55BIT/A 技術參數

BUK9907-55ATE,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式），邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:108nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5836pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-5 供應商器件封裝:TO-220-5 標準包裝:50 BUK9907-40ATC,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5836pF @ 25V FET 功能:溫度檢測二極管功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-5 封裝/外殼:TO-220-5 標準包裝:50 BUK9880-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:584pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:73 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BUK9880-55A,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:73 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:584pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BUK9880-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127 BUK9E15-60E,127 BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 BUK9E2R3-40E,127 BUK9E2R8-60E,127 BUK9E3R2-40B,127 BUK9E3R2-40E,127 BUK9E3R7-60E,127 BUK9E4R4-40B,127 BUK9E4R4-80E,127 BUK9E4R9-60E,127 BUK9E6R1-100E,127 BUK9E8R5-40E,127 BUK9GTHP-55PJTR,51 BUK9K12-60EX