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BUK9Y15-100E

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  • BUK9Y15-100E
    BUK9Y15-100E

    BUK9Y15-100E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

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  • BUK9Y15-100E,115
    BUK9Y15-100E,115

    BUK9Y15-100E,115

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 550

  • NXP

  • SOT669

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  • BUK9Y15-100E
    BUK9Y15-100E

    BUK9Y15-100E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 115

  • 5000

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -
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  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 100V, 69A, LFPAK, Transistor Polarity
BUK9Y15-100E 技術參數(shù)
  • BUK9Y14-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):62A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):28.9nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):147W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 BUK9Y14-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):56A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):85W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y12-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標準包裝:1,500 BUK9Y12-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):61.8A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):106W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y12-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):52A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.8nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1423pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):65W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-80E,115 BUK9Y27-40B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115 BUK9Y41-80E,115 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115
配單專家

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