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BUK9Y53-100B/C2

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  • BUK9Y53-100B/C2
    BUK9Y53-100B/C2

    BUK9Y53-100B/C2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • 原裝NXP

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BUK9Y53-100B/C2
    BUK9Y53-100B/C2

    BUK9Y53-100B/C2

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質:營業執照

  • 83818

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 20+

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • BUK9Y53-100B/C2
    BUK9Y53-100B/C2

    BUK9Y53-100B/C2

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 7500

  • 原裝NXP

  • SOT669(LFPA

  • 14+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • BUK9Y53-100B/C2
    BUK9Y53-100B/C2

    BUK9Y53-100B/C2

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:苗鳳軍

    電話:17623594308

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 4186

  • NEXPERIA

  • SOT669

  • 2225+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • BUK9Y53-100B/C2
    BUK9Y53-100B/C2

    BUK9Y53-100B/C2

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 965

  • nxp

  • sot669

  • 14+

  • -
  • 原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
BUK9Y53-100B/C2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BUK9Y53-100B/C2 技術參數
  • BUK9Y53-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2130pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):75W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y4R8-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):50nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7853pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y4R4-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):26.8nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4077pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):147W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y43-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.2nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y41-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11.9nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):64W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y98-80E,115 BUK9Y9R9-80E,115 BU-L0000-375 BU-L0000-375TIN BU-L0000-500TIN BU-L000-500TIN BU-L00-375 BU-L00-375TIN BU-L00-500TIN BU-L0-375 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN BUL1102E BUL1102EFP BUL1203E BUL1203EFP BUL128
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